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          生产热线 ：15359873539 13959236971 0592-5984992

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          • 名称：二氧化硅(SiO2)

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          简要介绍
          SiO2单晶水晶片是一种极好的基片，用于无线通讯工业的微波滤波器。

          详细参数

          主要性能参数
          生长方法 水热法
          晶体结构 六方
          晶格常数 a=4.914Å    c=5.405 Å
          熔点（℃） 1610℃（相转变点 ：573.1℃）
          密度 2.684g/cm3
          硬度 7（mohs）
          热熔 0.18cal/gm
          热导率 0.0033cal/cm℃
          热电常数 1200uv/℃（300℃）
          折射率 1.544
          热膨胀系数 α11 ：13.71×106/ ℃ α33：7.48×106 /℃
          Q值 1.8×106 min
          声速、声表级 3160（m/sec）
          频率常数 1661（kHz/mm）
          压电偶合 K2(%) BAW: 0.65 SAW: 0.14
          晶向 Y 、X或Z切 ，在30º~42.75 º ±5分范围内旋转任意值 
          主定位边：根据客户要求定方向±30分 
          次定位边：根据客户要求定方向 
          籽 晶：位于中心 ，宽度<5mm，高度>66mm
          抛光面 外延抛光：单抛或双抛Ra<10Å
          工作区域：基片直径-3mm 
          弯 曲 度 ：Φ3″<20um ，Φ4″<30um
          工作区域无崩边，在边缘，崩边宽度<0.5mm
          坑和划痕：每片<3，每100片<20
          标准厚度 0.5mm±0.05mm TTV<5um
          标准直径 Φ2″(50.8mm) 、Φ3″(76.2mm) 、Φ4″(100mm)±0.2mm 
          主定位边 ：22±1.5mm (Φ3″) 32±3.0 (Φ4″)
          次定位边 ：10mm±1.5mm
           
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