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          • 名称：锗(Ge)

          详情：

          简要介绍
          用途：制作半导体器件，红外光学器件，及太阳能电池沉底等材料。 
          详细参数

          N
          主要性能参数
          生长方法 提拉法
          晶体结构 立方
          晶格常数 a=5.65754 Å       
          密 度 5.323g/cm3
          熔点 937.4℃
          掺杂物质 不掺杂 掺Sb 掺Ga
          类型 /
                P
                电阻率 ＞35Ωcm 0.01~10Ωcm 0.01~10Ωcm
                EPD ＜4×103∕cm2 ＜4×103∕cm2 ＜4×103∕cm2
                尺寸 10x3，10x5，10x10，15x15 ，，20x15，20x20，
                Dia4",Dia3";Dia2”;或按照客户要求划片
                厚度 0.5mm，1.0mm
                抛光 单面或双面
                晶向 <100>、<110>  、<111>、±0.5º
                晶面定向精度: ±0.5°
                边缘定向精度: 2°（特殊要求可达1°以内）
                斜切晶片 可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片
                Ra: ≤5Å（5µm×5µm）
                包装 100级洁净袋，1000级超净室
                 
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